Экзамен он лайн по Твердотельной электронике

Заказать уникальные ответы на билеты
Тип работы: Ответы на билеты
Предмет: Электроника
  • 22 страницы
  • 0 + 0 источников
  • Добавлена 27.03.2013
400 руб.
  • Содержание
  • Часть работы
  • Список литературы
  • Вопросы/Ответы
Фрагмент для ознакомления

Курсы твердотельной электроники

4.7. Работа транзистора в импульсном режиме.

4.7.1. Режим переключения

В режиме переключения транзистор работает как электронный ключ, чтобы застрять, и имеет высокую прочность, быть включена и низким сопротивлением. В ключ режиме транзистор включается последовательно с нагрузкой и когда выключен ток через нагрузку близок к нулю, и все напряжение от внешнего источника применяется к транзистору (т. А на рис. 67). Когда транзистор включен (например, На рис. 67), ток через транзистор высока и приближается к предельно возможной в этой схеме, Что/Rk , где Rk - сопротивление нагрузки в коллекторной цепи.

Когда транзистор выключен на передатчик, либо подается отрицательное смещение, или не подается ни одной и транзистор находится в режиме отсечки. Когда транзистор включен, на эмиттерный переход подано прямое смещение, а коллекторный переход находится, или смещение положительно, либо под нулевым смещением, т. е. в режиме насыщения.


 

Рис. 67 Рабочей точки на нагрузочной характеристике (активная нагрузка) при работе транзистора в режиме переключения.

преимущества переключения режима относится то, что вкл и выкл мощность рассеиваемая на транзисторе может быть значительно меньше, чем мощность, рассеиваемая в нагрузке, и таким образом может перейти власть, превосходящую предельно допустимую мощность рассевания на транзистор (см. рис. 67) . Кроме статического в транзисторе может рассеиваться большая мощность динамика во время включения и выключения транзистора, и при частоте коммутации эта мощность может превышать мощность, рассеиваемую в статическом режиме, поэтому желательно, чтобы время включения и выключения (время рассеивать мощность динамической) было как можно меньше. На рис. 68 соответствующий приведены результаты экспериментальных диаграммы токов транзистора при различных значениях входной амплитуды импульсов.


Рис. 67. Форма импульсов тока транзисторов, в его работе в импульсном режиме