Исследование микротопографии поверхности полупроводников с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ).

Заказать уникальный доклад
Тип работы: Доклад
Предмет: Физика
  • 1616 страниц
  • 5 + 5 источников
  • Добавлена 02.01.2014
400 руб.
  • Содержание
  • Часть работы
  • Список литературы
  • Вопросы/Ответы
Содержание
Введение 3
1 Конструкция и принцип действия сканирующего туннельного микроскопа 5
1.1 История создания 5
1.2 Устройство и принцип действия 6
2 Применение сканирующего туннельного микроскопа в области производства интегральных микросхем 9
2.1 История вопроса 9
2.2 Производство интегральных микросхем 11
Список литературы 15
Фрагмент для ознакомления

Это – небольшие отверстия в окисном слое, вызванные либо пылью при нанесении фоторезиста, либо повреждением фотошаблона. Если этот дефект окажется в критической точке, то последующая диффузия примеси может вызвать короткое замыкание перехода и выход из строя всей микросхемы.Одним из эффективных методов визуализации является использование сканирующего электронного микроскопа, позволяющего наблюдать топографический и электрический рельеф интегральной микросхемы. Это наблюдение обеспечивает неразрушающий характер контроля.Для наблюдения необходимо, чтобы поверхность микросхемы была открытой. Резкое изменение потенциала на поверхности вызывает изменение контраста изображения, формируемого вторичными электронами, и свидетельствует о разомкнутой электрической цепи или о перегретых участках.Этим методом можно легко обнаружить загрязнение перехода, частицы пыли, проколы в окисном слое и царапины на тонком слое металлизации. Нормальный градиент потенциала в резисторе можно наблюдать в виде равномерного изменения цвета от темного на одном конце резистора до светлого на другом его конце, при этом подложка имеет более высокое напряжение смещения, как это обычно бывает в интегральных микросхемах.Изображение резистора поэтому будет рельефным. Установив ряд таких изображений интегральных компонентов, соответствующих норме, можно судить на основании сравнения с этими эталонами об отклонениях и вызвавших их причинах. Увеличение энергии электронов в луче позволяет проникать в поверхностный слой для обнаружения таких дефектов, как трещины.На основе СТМ, в частности, возможны запись и воспроизведение информации. При записи используют эффект локального воздействия зонда на поверхность носителя информации. Это воздействие может быть механическим, создающим на поверхности искусственный рельеф в виде ямок – битов памяти.Искусственный рельеф может создаваться и путём термодесорбции. В этом случае зонд выступает в роли носителя материала для создания битов информации. Зонд может использоваться также и в роли точечного источника электронов для осуществления электронной литографии, химических или структурных локальных перестроек поверхности.При записи информации методом электронной литографии (нанолитографии) через острие зонда пропускают кратковременно большой силы туннельный ток Iт при повышенной разности потенциалов U, происходит эмиссия электронов или ионов с острия на поверхность объекта или наоборот, и образуются на поверхности ямки или впадины, которые и несут бит информации. Плотность записи достигает до 1012 бит/см2. Для сравнения: плотность записи на современном накопителе информации, где использован магнитный эффект (магнитные диски), составляет 107 бит/см2, при лазерном воздействии (компакт диски - CD) – до 109 бит/см2.Исследователи IBM Research продемонстрировали возможность записи 1 бита информации при помощи всего 12 атомов, тогда как для хранения 1 бита информации в современных дисковых накопителях требуется примерно 1 млн атомов. Новый способ записи данных позволит сократить размеры устройств, увеличить их быстродействие и энергоэффективность. В нынешних запоминающих устройствах (ЗУ) используются ферромагнитные материалы, у которых спин атомов ориентирован в одном направлении. Основным недостатком ферромагнетиков при дальнейшей миниатюризации ЗУ является взаимодействие соседних атомов друг с другом. Исследователям IBM Research удалось с помощью сканирующего туннельного микроскопа создать группы из 12 атомов антиферромагнетика, которые хранят данные при температуре около –270°С в течение многих часов. Для надежного хранения 1 бита информации при комнатной температуре требуется около 150 атомов.Технология IBM теоретически позволяет формировать накопители, плотность хранения информации в которых как минимум в 100 раз превышает показатели современных винчестеров и твердотельных дисков.Исследователи полагают, что для создания опытных образцов запоминающих устройств по предложенной методике потребуется 5–10 лет.Список литературыhttp://www.mikrobiki.ru/nauka/mikroskopy/skaniruuschii-tunnel-nyi-mikroskop.html.http://www.nano-edu.ulsu.ru/w/index.php/Глава_3._Инструменты_нанотехнологий._Сканирующая_туннельная_микроскопияhttp://lostlab.ru/forum/topic345.htmlhttp://dic.academic.ru/dic.nsf/nanotechnology/190/Сканирующая_туннельная_микроскопия.www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.01.2012.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. http://www.mikrobiki.ru/nauka/mikroskopy/skaniruuschii-tunnel-nyi-mikroskop.html.
2. http://www.nano-edu.ulsu.ru/w/index.php/Глава_3._Инструменты_нанотехнологий._Сканирующая_туннельная_микроскопия
3. http://lostlab.ru/forum/topic345.html
4. http://dic.academic.ru/dic.nsf/nanotechnology/190/Сканирующая_туннельная_микроскопия.
5. www.russianelectronics.ru/engineer-r/news/16.01.2012.

Вопрос-ответ:

Что такое сканирующий туннельный микроскоп и как он работает?

Сканирующий туннельный микроскоп или СТМ - это прибор, использующий явление квантовой туннелирования для изображения поверхности материала с атомарным разрешением. С помощью иглы, которая сканирует поверхность, и измерения тока, проходящего через туннельный зазор между иглой и образцом, можно получить информацию о топографии поверхности.

Какова история создания сканирующего туннельного микроскопа?

Сканирующий туннельный микроскоп был создан в 1981 году Герром Бинним и Хайнцем Ререром в IBM. Их работа была награждена Нобелевской премией по физике в 1986 году за открытие и развитие методов получения изображений с помощью туннельного эффекта.

Как сканирующий туннельный микроскоп применяется в производстве интегральных микросхем?

С помощью сканирующего туннельного микроскопа можно исследовать и контролировать микротопографию поверхностей полупроводников, которые являются основой для производства интегральных микросхем. Это позволяет более точно контролировать процессы нанесения слоев и растравления, что в свою очередь повышает качество и надежность производимых микросхем.

Какие преимущества и недостатки есть у сканирующего туннельного микроскопа?

Преимущества сканирующего туннельного микроскопа включают высокое атомарное разрешение, возможность работать в вакууме или в атмосфере, низкое требование к плоскости образца. Однако у СТМ есть и недостатки, такие как сложность работы с мягкими материалами, требования к низким температурам и высокая стоимость.

Как сканирующий туннельный микроскоп помогает в изучении поверхностей полупроводников?

С помощью сканирующего туннельного микроскопа можно исследовать и анализировать микротопографию поверхности полупроводников, что позволяет выявить дефекты, пятна, трещины и другие несовершенства. Это помогает улучшить процессы производства и контролировать качество полупроводниковых материалов.

Какой принцип действия сканирующего туннельного микроскопа?

Сканирующий туннельный микроскоп основан на принципе туннелирования заряда через узкую зону между зондом и образцом. Зонд и образец находятся на очень малом расстоянии, и через этот зазор туннельный ток начинает протекать. Зонд сканирует поверхность образца, и по изменению тока можно получить информацию о топографии поверхности.

Какая конструкция у сканирующего туннельного микроскопа?

Сканирующий туннельный микроскоп состоит из металлического зонда, которым сканируется поверхность образца. Зонд подключен к источнику постоянного напряжения, а между образцом и зондом существует очень маленький зазор. Образец находится на пьезоэлектрическом столике, который может двигаться, чтобы сканировать поверхность в трехмерных координатах.

В какой индустрии применяется сканирующий туннельный микроскоп?

Сканирующий туннельный микроскоп широко применяется в области производства интегральных микросхем. Он позволяет изучать и анализировать поверхность полупроводниковых материалов, что помогает оптимизировать процесс производства и повысить качество и надежность микросхем.

Когда был изобретен сканирующий туннельный микроскоп?

Сканирующий туннельный микроскоп был изобретен в 1981 году учеными Германом Биннигом и Хайнрихом Рохрером. За это открытие им была присуждена Нобелевская премия по физике в 1986 году.

Зачем изучают микротопографию поверхности полупроводников?

Изучение микротопографии поверхности полупроводников позволяет получить информацию о качестве поверхности, наличии дефектов, проводимости и других характеристиках материала. Это важно для оптимизации процесса производства интегральных микросхем и повышения их надежности и эффективности.

Как работает сканирующий туннельный микроскоп СТМ?

Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) основан на использовании квантового явления туннелирования. Он состоит из острой иглы, наконечник которой находится на очень близком расстоянии от поверхности образца. Между наконечником и образцом создается потенциал, причиняющий затекание электронов через вакуум. При этом подвижность электронов существенно зависит от расстояния и их энергии, что позволяет определить топографию поверхности образца с высокой точностью.

В каких областях можно применять сканирующий туннельный микроскоп?

Сканирующий туннельный микроскоп широко используется в различных областях науки и технологии. Он применяется для изучения поверхности полупроводников, металлов, диэлектриков, биологических материалов и других объектов. С помощью СТМ можно измерять атомарные и молекулярные структуры материалов, а также проводить исследования в нанотехнологии, физике поверхности, химии и биологии.