пленочные технологии в микроэлектронике

Поэтому необходимо осуществлять выбор материалов с большой диэлектрической постоянной материала или максимально уменьшать диэлектрическую пленку;– рабочее напряжение U раб;– тангенс угла диэлектрических потерь (tgd);– эксплуатационные параметры, которые зависят от многочисленных факторов (материал, способы напыления, толщина пленкии др.)Пленочные индуктивности выполняются в виде спирали из пленки и имеют плоскую конструкцию.Это приводит к тому, что они обладают номиналом около 5 мкГн, работая в частотах свыше 30 МГц (рисунок 4). Рис. 4. Пленочная индуктивностьНа основе пленочной технологии могут быть изготовлены такие устройства, как: трансформаторы, RC и LC с распределенными параметрами, фильтры, линии задержки [5]. Особенную популярность пленочные резисторы получили по причине своей высокой точности. На их основе построена 301 серия микросхем, в состав которой входят прецизионные делители напряжения. Конструкция такого делителя и ее аналог приведены на рисунке 5. а) б)Рис. 5. Прецизионный делитель напряжения (а) и его аналог (б)ЗаключениеСовременный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем во всех радиотехнических схемах. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой. В микроэлектронике используются два основных вида интегральных микросхем: пленочные и полупроводниковые микросхемы. Пленочные микросхемы создаются на диэлектрической подложке путем послойного нанесения пленок различных материалов с одновременным формированием из них микроэлементов и их со- единений. Полупроводниковые ИМС создаются путем локального воздействия на микроучастки полупроводникового монокристалла и придания им свойств, соответствующих функциям микроэлементов и их соединений.Пленки позволяют изготавливать лишь пассивные элементы: это резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и решения на основе этих элементов (например, фильтры).Основной недостаток пленочных схем – отсутствие в их базе активных элементов и прежде всего транзисторов. Список использованных источниковhttp://works.doklad.ru/view/5PeUTH-wvt8.htmlДанилина Т.И. Технология тонкопленочных микросхем: Учебное пособие. — Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образо-вания, 2006. — 164 с.Радионов Ю.А. Литография в производстве интеграль-ных микросхем. — Минск: Дизайн ПРО, 1998. — 95 с. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн.: Учеб.пособие для ПТУ. Кн.8. Ли-тографические процессы / В.В. Мартынов, Т.Е. Базарова. — М.: Высшая школа, 2010. — 120 с. Гимпельсон В.Д., Радионов Ю.А. Тонкопленочные мик-росхемы для приборостроения и вычислительной техники. — М.: Машиностроение, 2016. — 328 с.