Вам нужна курсовая работа?
Интересует Электротехника?
Оставьте заявку
на Курсовую работу
Получите бесплатную
консультацию по
написанию
Сделайте заказ и
скачайте
результат на сайте
1
2
3

Определение параметров моделей полупроводниковых диодов, транзисторов и интегральных аналоговых микросхем

  • 10 страниц
  • 0 источников
  • Добавлена 13.01.2010
700 руб. 1 400 руб.
  • Содержание
  • Часть работы
  • Список литературы
  • Вопросы/Ответы
оглавления нет
Фрагмент для ознакомления
списка литературы нет

Сборка полупроводниковых приборов и интегральных схем

Министерство образования российской Федерации

 

 

 

 

 

Кафедра: "Электроника, механика".

 

 

 

 

 

Курсы проекта

Сборка полупроводниковых приборов и интегральных схем

 

 

 

 

 

Выполнил: ст-т гр. ЭПУ - 32

Козачук Виталий Михайлович

Проверил: доцент

Шумарин Виктор Пракофьевич

 

 

 

Саратов 2000

СБОРКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

И интегральных схем


Особенности процесса сборки


Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем является наиболее трудоемким и ответственным технологическим этапом в общем цикле их изготовления. От качества сборочных операций в сильной степени зависит стабильность электрических параметров и надежность готовой продукции.

Этап сборки начинается после завершения групповой обработки полупроводниковых пластин по планарной технологии и разделения их на отдельные элементы (кристаллы). Эти кристаллы могут иметь более простой (диодную или транзисторную) структуру или включает в себя сложную интегральную цепь (с большим количеством активных и пассивных элементов) и сделать для сборки дискретных, гибридных или монолитных дорожек.

Сложность процесса сборки состоит в том, что каждый класс дискретных приборов и ИМС имеет свои конструктивные особенности, которые требуют вполне определенных сборочных операций и режимов их проведения.

Процесс сборки включает в себя три основные операции: присоединение кристалла к основанию корпуса; присоединение токоведущих выводов к активным и пассивным элементам полупроводникового кристалла на внутренние компоненты корпуса; уплотнение кристаллов от внешней среды.

Присоединение кристалла к основанию корпуса

Присоединения кристалла полупроводникового прибора или ИМС к основанию корпуса осуществляется с помощью процессов пайки, приплавления с использованием эвтектических сплавов припоя.

Узнать стоимость работы